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WAlN-SA002 AlGaN エピタキシャルシート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[1、 2） μm
FWHM of 002 XRC
≤ 120 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 600 arcsec
WAlN-SA003 AlGaN エピタキシャルシート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[2、 3） μm
FWHM of 002 XRC
≤ 150 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 500 arcsec
WAlN-SA004 AlGaN エピタキシャルシート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[3、 4） μm
FWHM of 002 XRC
≤ 180 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 400 arcsec
WAlN-SA001 AlGaN エピタキシャルシート
Diameter
2 inch
Substrate
Sapphire
Substrate Thickness
430±20 μm
Epilayer Thickness
[0。 1、 1） μm
FWHM of 002 XRC
≤ 100 arcsec
FWHM of 102 XRC
≤ 800 arcsec
LP2MQBB UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
15~30 mW
くどうでんりゅう
80 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
5~7 V
推奨
LP2AQHB UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
40~70 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
5~7 V
LP2AHAC UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
40~70 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
30°
動作電圧
5~7 V
LP2AHAA UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
40~70 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
60°
動作電圧
5~7 V
LM218QQA UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
400~600 mW
くどうでんりゅう
600 mA
波長
260~280 nm
出光角
60°
動作電圧
15~21 V
LM44QPB UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
200~400 mW
くどうでんりゅう
700 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
11~14 V
LM24QPB UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
70~150 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
10~14 V
LM24QMC UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
70~150 mW
くどうでんりゅう
200 mA
波長
260~280 nm
出光角
30°
動作電圧
10~14 V
LM2HQMC UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
200~400 mW
くどうでんりゅう
700 mA
波長
260~280 nm
出光角
30°
動作電圧
11~14 V
LM2HQMB UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
200~400 mW
くどうでんりゅう
700 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
11~14 V
LM1HQPB UVC LED ランプの玉
こうでんりょく
150~350 mW
くどうでんりゅう
400 mA
波長
260~280 nm
出光角
120°
動作電圧
10~14 V