WAlN-SA001 AlGaN エピタキシャルシート
| 製品型番 | WAlN-SA001 |
| 製品カテゴリ | AlGaN エピタキシャルシート |
| あつさ | [0。 1、 1） μm |
| （002） | ≤ 100 arcsec |
| （102） | ≤ 800 arcsec |
製品の説明
に基づく MOCVD プロセスの高品質 AlN/Sapphire テンプレート
基本パラメータ
| パラメータ名 | パラメータ値 |
|---|---|
| Diameter | 2 inch |
| Substrate | Sapphire |
| Substrate Thickness | 430±20 μm |
| Epilayer Thickness | [0。 1、 1） μm |
| FWHM of 002 XRC | ≤ 100 arcsec |
| FWHM of 102 XRC | ≤ 800 arcsec |
| Front side roughness | ≤ 1。 5 nm （10×10 μm） |
| Edge exclusion | ≤ 3 mm |
| Through Crack | None |
| Surface orientation of a-plane | 0°±0。 1° |
| Surface orientation of m-plane | 0。 2°±0。 1° |
| Primary flat orientation | a-plane±0。 1° |
| Primary flat length | 16±1 mm |
| Back side roughness | 0。 8±0。 2 μm |
よくある質問
肉眼で見える色は UV-C LED 発光スペクトルの可視部分、 それは半導体ざいりょう中の酸素置換位に由来する、 格子不整合転位などの各種深準位と伝導帯準位との間の電子遷移。 欠陥エネルギー準位位置は量子井戸の価電子帯よりも高い、 だから電子遷移から放出される光子の波長はもっと長い、 通常、 450nm 左右、 可視光。 半導体装置の精度に制約、 ウエハ上の異なる領域のチップと異なるバッチのチップ、 そのざいりょう欠陥濃度、 欠陥カテゴリにはわずかな違いがあります。 この違いにより、 可視光を放出する深準位の位置に差が生じる、 さらに異なる波長の可視光を放出する、 異なる色を描画。 波長差は小さいが、 しかし肉眼感知は明らかである。
UVC-LED オゾンが発生しない、 酸素共有結合結合エネルギーが最大になるため 5。 1eV、 対応する必要がある波長は少なくとも 243nm の紫外線を遮断することができます、 最終生成オゾン。
優沵芯は専門のな販売前アフターサービスコンサルティングとサービスを提供する。 お客様のニーズに合わせて最適なものをお勧めします UVLED 製品。 質問があれば、 いつでも私たちにメールを送ってください:
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