エピタキシャルざいりょうコアの重要な技術
革新は高品質紫外線を提案する LED エピタキシャルざいりょうの欠陥と応力制御技術、 実現紫外線 LED ざいりょう転位密度が 3×10⁸ cm⁻²、 国際先進水準に
転位密度制御
転位密度が 3×10⁸ cm⁻²、 国際先進水準に
応力有効解放
革新のなピラミッドのナノパターン化 NPSS 基板エピタキシャル成長癒合技術
ノーベル賞受賞者が認める
2014 年ノーベル物理学賞受賞者 Nakamura 高い評価
革新ので高品質な紫外線 LED エピタキシャルざいりょうの欠陥と応力制御技術
基板をパターン化することにより、 あつさせいぎょ、 転位結合と応力解放技術、 エピタキシャルざいりょうの品質突破性向上を実現する
パターン化基板の表面形態
原子間力顕微鏡を用いる （AFM） 観察されたパターン化基板表面、 規則のに配列されたピラミッド状または円錐状の構造を示す、 きんいつぶんぷ、 エピタキシャル成長に理想のなテンプレートを提供する。
ひょうめんとくせい
ピラミッド状微細構造アレイ
ルール・グリッドの配置
3D ひょうめんけいたいせいぎょ
厚さが 10µm
走査電子顕微鏡 （SEM） 断面画像表示 AlN サファイア基板上の層の成長、 厚さが 10µm、 垂直に延びる空気孔を含む。
ざいりょう構造階層
AlN レイヤー
あつさ 」 10µm
くうきあな
垂直方向に延長
サファイア基板
h = 6。 6µm
転位マージ中の曲げ消滅
透過型電子顕微鏡 （TEM） 画像はエピタキシャル層中の転位欠陥の成長中の曲がりを示している、 マージプロセスと消滅プロセス、 欠陥密度の効果のな低減。
転位制御機構
てんいまげ
転位マージ
転位消滅
応力有効解放
リバーススペースマッピング （RSM） ざいりょう中の応力状態と結晶品質を解析表示する、 有効な応力放出技術による高品質エピタキシャル成長。
応力解析パラメータ
Qx×10000 （rlu）
2810-2880
Qz×10000 （rlu）
7715-7750
おうりょくじょうたい
ゆうこうほうしゅつ
技術成果と知の財産権
エピタキシャル技術に基づく革新のな成果がノーベル賞受賞者に認められる、 そして衛星探査プロジェクトへの応用に成功した
コア特許
超広帯域禁止窒化アルミニウムざいりょうエピタキシャルシート及びその製造方法
特許番号: ZL201811380251。 1
深い紫外線 LED のヘテロエピタキシャル基板及びその製造方法及び応用
特許番号: ZL202110397975。 2
代表論文
Applied Physics Letters
2019、 114。 4
Optics Express
2018、 26。 2: 680-686
応用成果
"海洋1号"衛星探査プロジェクト
海洋環境のオンラインモニタリング
AlGaN ざいりょうの用途
衛星システムへの応用に成功した
ノーベル賞受賞者の評価
2014 年ノーベル物理学賞受賞者 Nakamura
"この技術革新は新しい成長方式とアニーリング技術の下で低転位密度を可能にすることが期待されている AlN/NPSS 現実になる"
技術の優位性の概要
革新のなピラミッドのナノパターン化 NPSS 基板技術
応力の効果のな解放と転位制御の促進
転位密度が 3×10⁸ cm⁻²
国際先進水準に
衛星探査プロジェクトへの応用に成功した
ノーベル賞受賞者から高い評価
